专门为电子束敏感样品和需最大300万倍稳定观察的先进半导体器件，高分辨成像所设计。

特点

1.新的电子枪和电子光学设计提高了低加速电压性能。

　0.4 nm / 30 kV (SE)

　1.2 nm / 1 kV (SE)

　0.34 nm / 30 kV (STEM)

2.用改良的高真空性能和无与伦比的电子束稳定性来实现高效率截面观察。

3.采用全新设计的Super E x B能量过滤技术，高效，灵活地收集SE / BSE/ STEM信号。